MMBT2907ALT1G

ON SEMICONDUCTOR

MMBT2907ALT1G

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ON SEMICONDUCTOR  MMBT2907ALT1G 

Transistor Singolo Bipolare (BJT), General Purpose, PNP, -60 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 200

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Maggiori dettagli

MMBT2907ALT1G

Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo: -60V
Corrente di Collettore DC: -600mA
Guadagno di Corrente DC hFE: 200
Dissipazione di Potenza Pd: 225mW
Frequenza di Transizione ft: 200MHz
Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL): MSL 1 - Non Limitata
Modello Case Transistor: SOT-23
No. di Pin: 3
Temperatura di Esercizio Max: 150°C
Polarità Transistor: PNP
Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC): No SVHC (17-Dec-2014)

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Transistor Singolo Bipolare (BJT), General Purpose, PNP, -60 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 200

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